Transistor de canal P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 870pF. Custo): 720pF. DI (T=100°C): 3.7A. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 15A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:08