Transistor de canal P IRF7204, SO8. Carcaça: SO8. Cobrar: 25nC. Corrente de drenagem: -5.3A. Montagem/instalação: SMD. Polaridade: unipolar. Potência: 2.5W. Resistência térmica: 50K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: -20V. Tensão de fonte de porta: 12V, ±12V. Tipo de transistor: P-MOSFET, HEXFET. Produto original do fabricante: Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 22:22