Transistor de canal P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V

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Transistor de canal P IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -31A. Marcação do fabricante: F5305S. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:25

Documentação técnica (PDF)

IRF5305STRLPBF

17 parâmetros

Carcaça

D²-PAK

Carcaça (padrão JEDEC)

TO-263

Tensão da fonte de drenagem Uds [V]

-55V

Atraso de desligamento tf[nsec.]

39 ns

Capacitância Ciss Gate [pF]

1200pF

Configuração

componente montado em superfície (SMD)

Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.06 Ohms @ -16A

Dissipação máxima Ptot [W]

110W

Família de componentes

MOSFET, P-MOS

ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C

-31A

Marcação do fabricante

F5305S

Número de terminais

RoHS

sim

Temperatura máxima

+175°C.

Tempo de ativação ton [nseg.]

14 ns

Tensão de ruptura da porta Ugs [V]

-4V

Produto original do fabricante

Infineon