Transistor de canal P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1200pF. Cobrar: 42nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -31A. Custo): 520pF. DI (T=100°C): 22A. Diodo Trr (mín.): 71 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 110A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Polaridade: unipolar. Potência: 110W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.4K/W. RoHS: sim. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: -55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00