Transistor de canal P IRF5210SPBF, D²-PAK, TO-263, -100V. Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2700pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -40A. Marcação do fabricante: F5210S. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:06