Transistor de canal P IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2860pF. Custo): 800pF. DI (T=100°C): 24A. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 50uA. Id(im): 140A. Marcação na caixa: F5210S. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 3.8W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00