Transistor de canal P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V
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Transistor de canal P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2700pF. Cobrar: 120nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -40A. Custo): 790pF. DI (T=100°C): 29A. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 140A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: unipolar. Potência: 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 79 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: -100V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00