Transistor de canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Transistor de canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.82€
5-24
2.43€
25-49
2.15€
50-99
1.97€
100+
1.69€
+20 peças adicionais disponíveis em stock remoto (entrega em 4 horas). Contacte-nos para saber preços e disponibilidade!
Quantidade em estoque: 139

Transistor de canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 74A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3400pF. Cobrar: 120nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -74A. Custo): 1400pF. DI (T=100°C): 52A. Diodo Trr (mín.): 89 ns. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 25uA. Id(im): 260A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: unipolar. Potência: 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 20M Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: -55V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00

Documentação técnica (PDF)
IRF4905
37 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=25°C)
74A
Idss (máx.)
250uA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
3400pF
Cobrar
120nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
-74A
Custo)
1400pF
DI (T=100°C)
52A
Diodo Trr (mín.)
89 ns
Função
Ultra Low On-Resistance
IDss (min)
25uA
Id(im)
260A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.02 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Polaridade
unipolar
Potência
200W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
Resistência no estado
20M Ohms
RoHS
sim
Td(desligado)
61 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
-55V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier