Transistor de canal P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 10uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 510pF. Cobrar: 23nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -2.7A. Custo): 70pF. DI (T=100°C): 1.71A. Diodo Trr (mín.): 270 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 10.8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 3.9 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Polaridade: unipolar. Potência: 85W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 4.9 Ohms. RoHS: sim. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -500V. Tensão de fonte de porta: ±30V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41