Transistor de canal P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Transistor de canal P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.60€
5-49
1.32€
50-99
1.13€
100+
1.02€
Quantidade em estoque: 98

Transistor de canal P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1100pF. Custo): 510pF. DI (T=100°C): 19.1A. Diodo Trr (mín.): 105 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 102A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FQB27P06TM
29 parâmetros
DI (T=25°C)
27A
Idss (máx.)
10uA
Carcaça
D2PAK ( TO-263 )
Habitação (conforme ficha técnica)
D2PAK ( TO-263 )
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
1100pF
Custo)
510pF
DI (T=100°C)
19.1A
Diodo Trr (mín.)
105 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
1uA
Id(im)
102A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
On-resistência Rds On
0.055 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
120W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
30 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
25V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Fairchild