Transistor de canal P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -25V. DI (T=25°C): 0.46A. Idss (máx.): 10uA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. C (pol.): 63pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 63pF. Características: -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. Custo): 34pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Função: Baixa carga de entrada. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -0.46A. IDss (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 460mA. Id(im): 1.5A. Informação: -. Marcação do fabricante: 304. Marcação na caixa: 304. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 1.22 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Polaridade: MOSFET P. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V. Série: -. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de montagem: SMD. Tipo de transistor: MOSFET. Vdss (dreno para tensão da fonte): -25V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.65V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00