Transistor de canal P FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2890pF. Custo): 500pF. DI (T=100°C): n/a. Diodo Trr (mín.): 40 ns. IDss (min): n/a. Id(im): 65A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 7.7m Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00