Transistor de canal P FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Carcaça: SO. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. C (pol.): 1855pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2470pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Custo): 355pF. DI (T=100°C): n/a. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Função: Faixa VGS estendida (-25V) para aplicações operadas por bateria. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -11A. IDss (min): n/a. Id(im): 55A. Marcação do fabricante: -. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 17.4m Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: FDS6675BZ. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00