Transistor de canal P FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Carcaça: SO. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. : aprimorado. C (pol.): 1385pF. Cobrar: 40nC. Corrente de drenagem: -8.8A. Custo): 275pF. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Função: controlador de carga da bateria. Id(im): 50A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Polaridade: unipolar. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Nível de proteção ESD HBM de 3,8kV. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: canal P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -30V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00