Transistor de canal P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v
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Transistor de canal P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 30 v. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. C (pol.): 182pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 182pF. Condicionamento: rolo. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -1.2A. Custo): 56pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Função: Single P-Channel, Logic Level. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -1.5A. IDss (min): 1uA. Id(im): 5A. Marcação do fabricante: 358. Marcação na caixa: 358. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 3000. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00