Transistor de canal P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V

Transistor de canal P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.58€
5-49
0.48€
50-99
0.41€
100-199
0.37€
200+
0.32€
Quantidade em estoque: 92

Transistor de canal P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. DI (T=25°C): 1.6A. Idss (máx.): 0.1uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 451pF. Custo): 75pF. Função: Gerenciamento de bateria. IDss (min): n/a. Id(im): 5A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD 338. On-resistência Rds On: 0.088 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00

Documentação técnica (PDF)
FDN338P
24 parâmetros
DI (T=25°C)
1.6A
Idss (máx.)
0.1uA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23
Tensão Vds(máx.)
20V
C (pol.)
451pF
Custo)
75pF
Função
Gerenciamento de bateria
Id(im)
5A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD 338
On-resistência Rds On
0.088 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.5W
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
16 ns
Td(ligado)
10 ns
Tecnologia
Specified PowerTrench MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
8V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.5V
Vgs(th) mín.
0.4V
Produto original do fabricante
Fairchild