Transistor de canal P FDC642P-F085, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 630pF. Condicionamento: rolo. Custo): 160pF. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Função: Interruptor de carga, proteção da bateria. IDss (min): 250uA. Id(im): 20A. Marcação na caixa: FDC642P. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD FDC642P. Número de terminais: 6. On-resistência Rds On: 0.0525 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.2W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Td(desligado): 23.5 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 3000. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:19