Transistor de canal P FDC638P, SOT-23/6, -20V. Carcaça: SOT-23/6. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 33 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -4.5A. Marcação do fabricante: .638. Número de terminais: 6. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:45