Transistor de canal P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor de canal P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.75€
5-24
1.52€
25-49
1.40€
50-99
1.30€
100+
1.17€
Quantidade em estoque: 33

Transistor de canal P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1802pF. Custo): 415pF. DI (T=100°C): 9A. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Diversos: Velocidade de comutação rápida, baixo vazamento de entrada/saída. Função: Baixa resistência, baixa tensão limite de porta, baixa capacitância de entrada. IDss (min): -. Id(im): 80A. Marcação na caixa: P3020LS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.0116 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 5.1 ns. Tecnologia: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 11:43

DMP3020LSS
29 parâmetros
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
1uA
Carcaça
SO
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
1802pF
Custo)
415pF
DI (T=100°C)
9A
Diodo Trr (mín.)
30 ns
Diversos
Velocidade de comutação rápida, baixo vazamento de entrada/saída
Função
Baixa resistência, baixa tensão limite de porta, baixa capacitância de entrada
Id(im)
80A
Marcação na caixa
P3020LS
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
On-resistência Rds On
0.0116 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
2.5W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
46 ns
Td(ligado)
5.1 ns
Tecnologia
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
Diodes Inc.