Transistor de canal P BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=25°C): 130mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 25pF. Corrente contínua média: -130mA. Corrente de drenagem: -130mA. Custo): 15pF. DI (T=100°C): 75mA. Função: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. IDss (min): 10uA. Id(im): 520mA. Marcação na caixa: 11W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 6 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Polaridade: unipolar. Potência: 0.25W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 10 Ohms. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 11W. Td(desligado): 7 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS vertical em modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -50V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31