Transistor de canal P BS250P, TO-92, 0.23A, -45V, 500nA, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): -. DI (T=25°C): 0.23A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -45V. Idss (máx.): 500nA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 45V. : aprimorado. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. C (pol.): 60pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Condicionamento: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Corrente de drenagem: -0.23A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -0.23A. Id(im): 3A. Marcação do fabricante: BS250P. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 14 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Polaridade: unipolar. Potência: 0.7W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 14 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Tensão da fonte de drenagem: -45V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: P-MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31