Transistor de canal N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms

Transistor de canal N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms

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Transistor de canal N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. On-resistência Rds On: 0.0086 Ohms. Corrente máxima de drenagem: 70A. Potência: 125W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: Yangjie Electronic Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:28

Documentação técnica (PDF)
YJP70G10A
7 parâmetros
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
100V
On-resistência Rds On
0.0086 Ohms
Corrente máxima de drenagem
70A
Potência
125W
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
Yangjie Electronic Technology