Transistor de canal N WMK38N65C2, TO-220AB, 650V

Transistor de canal N WMK38N65C2, TO-220AB, 650V

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Transistor de canal N WMK38N65C2, TO-220AB, 650V. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 193 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2940pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Dissipação máxima Ptot [W]: 277W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 38A. Marcação do fabricante: -. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Wayon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 14:50

WMK38N65C2
15 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
650V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
193 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
2940pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.099 Ohms @ 15A
Dissipação máxima Ptot [W]
277W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
38A
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
53 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Produto original do fabricante
Wayon