Transistor de canal N VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 75uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. Diodo Trr (mín.): 107ns. IDss (min): 30uA. Marcação na caixa: S3NV04DP. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD S3NV04DP. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08