Transistor de canal N VNP35N07, TO-220, Limitada internamente, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V

Transistor de canal N VNP35N07, TO-220, Limitada internamente, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V

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Transistor de canal N VNP35N07, TO-220, Limitada internamente, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. DI (T=25°C): Limitada internamente. Idss (máx.): 200uA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 70V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 1000 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Custo): 980pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Interruptor de driver totalmente autoprotegido. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 35A. IDss (min): 50uA. Marcação do fabricante: VNP35N07. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Limitação de Corrente Linear. Td(desligado): 650 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: OMNIFET. Temperatura máxima: +135°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Tensão de entrada Vin (máx.): 18V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Usado para: Ilim= 35A IR= -50A. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08

Documentação técnica (PDF)
VNP35N07
35 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=25°C)
Limitada internamente
Idss (máx.)
200uA
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
70V
On-resistência Rds On
0.028 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
70V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
1000 ns
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.028 Ohms @ 18A
Custo)
980pF
Dissipação máxima Ptot [W]
125W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
Função
Interruptor de driver totalmente autoprotegido
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
35A
IDss (min)
50uA
Marcação do fabricante
VNP35N07
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Limitação de Corrente Linear
Td(desligado)
650 ns
Td(ligado)
100 ns
Tecnologia
OMNIFET
Temperatura máxima
+135°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
200 ns
Tensão de entrada Vin (máx.)
18V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Usado para
Ilim= 35A IR= -50A
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics