Transistor de canal N VNP10N07, TO-220, 70V, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, 70V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 70V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 900ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Custo): 350pF. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: MOSFET de potência totalmente autoprotegido. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 10A. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Id(im): 14A. Marcação do fabricante: VNP10N07-E. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: diodo Zener. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Limitação de Corrente Linear. Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Temperatura máxima: +135°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08