Transistor de canal N TK6A65D, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1050pF. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Função: Regulador de comutação. IDss (min): 10uA. Id(im): 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08