Transistor de canal N STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 2.7 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 1154pF. Custo): 106pF. Diodo Trr (mín.): 605 ns. Função: protegido com diodo Zener. IDss (min): 1uA. Id(im): 14A. Marcação na caixa: W5NK100Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 51.5 ns. Td(ligado): 22.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08