Transistor de canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Transistor de canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.53€
5-9
4.01€
10-24
3.54€
25+
3.28€
Quantidade em estoque: 34

Transistor de canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1250pF. Custo): 128pF. Diodo Trr (mín.): 700 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): 1uA. Id(im): 22.4A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08

Documentação técnica (PDF)
STW5NB90
30 parâmetros
DI (T=100°C)
3.3A
DI (T=25°C)
5.6A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
2.3 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
1250pF
Custo)
128pF
Diodo Trr (mín.)
700 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
IDss (min)
1uA
Id(im)
22.4A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
160W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
13 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
PowerMESH MOSFET
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics