Transistor de canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Transistor de canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Quantidade
Preço unitário
1-4
19.33€
5-9
18.54€
10-19
17.78€
20+
17.03€
Quantidade em estoque: 35

Transistor de canal N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 3800pF. Custo): 1250pF. Diodo Trr (mín.): 508 ns. IDss (min): 10uA. Id(im): 180A. Marcação na caixa: W45NM60. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 417W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08

Documentação técnica (PDF)
STW45NM60
31 parâmetros
DI (T=100°C)
28A
DI (T=25°C)
45A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.09 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão Vds(máx.)
650V
C (pol.)
3800pF
Custo)
1250pF
Diodo Trr (mín.)
508 ns
IDss (min)
10uA
Id(im)
180A
Marcação na caixa
W45NM60
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
417W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Idm--180Ap (pulsed)
Td(desligado)
16 ns
Td(ligado)
30 ns
Tecnologia
MDmesh PpwerMOSFET
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics