Transistor de canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Transistor de canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.57€
5-14
4.50€
15-29
5.00€
30-59
4.77€
60+
4.32€
Quantidade em estoque: 51

Transistor de canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1440pF. Custo): 60pF. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Função: circuitos de comutação. IDss (min): 1uA. Id(im): 80A. Marcação na caixa: 28N65M2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 13.4 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08

Documentação técnica (PDF)
STW28N65M2
27 parâmetros
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.15 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão Vds(máx.)
650V
C (pol.)
1440pF
Custo)
60pF
Diodo Trr (mín.)
384 ns
Função
circuitos de comutação
IDss (min)
1uA
Id(im)
80A
Marcação na caixa
28N65M2
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
170W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
59 ns
Td(ligado)
13.4 ns
Tecnologia
MDmesh™ M2 Power MOSFETs
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
25V
Tipo de canal
N
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V