Transistor de canal N STW20NM50FD, TO-247, 500V
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Transistor de canal N STW20NM50FD, TO-247, 500V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1380pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 214W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 20A. Marcação do fabricante: W20NM50FD. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27
STW20NM50FD
16 parâmetros
Carcaça
TO-247
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
500V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
30 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1380pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.25 Ohms @ 10A
Dissipação máxima Ptot [W]
214W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
20A
Marcação do fabricante
W20NM50FD
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
22 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics