Transistor de canal N STW20NK50Z, TO-247, 500V, 12.6A, 20A, 50uA, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. C (pol.): 2600pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Corrente de drenagem: 17A, 12.6A. Custo): 328pF. Diodo Trr (mín.): 355 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 17A. IDss (min): 1uA. Id(im): 68A. Marcação do fabricante: W20NK50Z. Marcação na caixa: W20NK50Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Polaridade: unipolar. Potência: 190W. Propriedades do semicondutor: Protegido contra ESD. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Tensão da fonte de drenagem: 500V. Tensão de fonte de porta: ±30V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58