Transistor de canal N STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 10.71A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1630pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 750pF. Função: circuitos de comutação. IDss (min): 10nA. Id(im): 68A. Marcação na caixa: 18NM80. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58