Transistor de canal N STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 54 ns. C (pol.): 2000pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. Custo): 238pF. Diodo Trr (mín.): 470 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 14A. IDss (min): 1mA. Id(im): 48A. Marcação do fabricante: W14NK50Z. Marcação na caixa: W14NK50Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 24 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58