Transistor de canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Transistor de canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.36€
5-14
4.70€
15-29
4.16€
30-59
3.86€
60+
3.43€
Quantidade em estoque: 19

Transistor de canal N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 3500pF. Custo): 280pF. Diodo Trr (mín.): 964ns. Função: Capacidade ESD aprimorada. IDss (min): 1uA. Id(im): 44A. Marcação na caixa: W12NK90Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA. Td(desligado): 88 ns. Td(ligado): 31 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

Documentação técnica (PDF)
STW12NK90Z
32 parâmetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
0.72 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão Vds(máx.)
900V
C (pol.)
3500pF
Custo)
280pF
Diodo Trr (mín.)
964ns
Função
Capacidade ESD aprimorada
IDss (min)
1uA
Id(im)
44A
Marcação na caixa
W12NK90Z
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
230W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA
Td(desligado)
88 ns
Td(ligado)
31 ns
Tecnologia
Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics