Transistor de canal N STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 10.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2620pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 635 ns. Função: Capacidade ESD aprimorada. IDss (min): 1uA. Id(im): 42A. Marcação na caixa: W12NK80Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58