Transistor de canal N STW11NK100Z-ZENER, TO-247, 1 kV

Transistor de canal N STW11NK100Z-ZENER, TO-247, 1 kV

Quantidade
Preço unitário
1-9
14.52€
10+
11.60€
Quantidade em estoque: 157

Transistor de canal N STW11NK100Z-ZENER, TO-247, 1 kV. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 98 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 8.3A. Marcação do fabricante: W11NK100Z. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:22

Documentação técnica (PDF)
STW11NK100Z-ZENER
16 parâmetros
Carcaça
TO-247
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
1 kV
Atraso de desligamento tf[nsec.]
98 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
3500pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.38 Ohms @ 4.15A
Dissipação máxima Ptot [W]
230W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
8.3A
Marcação do fabricante
W11NK100Z
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
27 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4.5V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics