Transistor de canal N STQ1NK60ZR-AP, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. DI (T=100°C): 0.189A. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 13 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammopak. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 94pF. Custo): 17.6pF. Diodo Trr (mín.): 135 ns. Função: Capacidade melhorada contra ESD e protegida por Zener. IDss (min): 1uA. Id(im): 1.2A. Marcação na caixa: 1NK60ZR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58