Transistor de canal N STP9NK60Z, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Transistor de canal N STP9NK60Z, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.05€
5-24
1.74€
25-49
1.53€
50-99
1.36€
100+
1.13€
Quantidade em estoque: 25

Transistor de canal N STP9NK60Z, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1110pF. Custo): 135pF. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (min): 1us. Id(im): 28A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

Documentação técnica (PDF)
STP9NK60Z
27 parâmetros
DI (T=100°C)
4.4A
DI (T=25°C)
7A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
0.85 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
1110pF
Custo)
135pF
Diodo Trr (mín.)
480 ns
Função
HIGH Current, HIGH Speed Switching
IDss (min)
1us
Id(im)
28A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
43 ns
Td(ligado)
19 ns
Tecnologia
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics