Transistor de canal N STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V

Transistor de canal N STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.92€
5-9
5.30€
10-24
4.69€
25+
4.38€
Quantidade em estoque: 3

Transistor de canal N STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. DI (T=100°C): 4.3A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 700V. C (pol.): 2350pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 680 ns. Função: Zener-Protected. IDss (min): 1uA. Id(im): 27A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: PowerMESH™III MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

Documentação técnica (PDF)
STP8NC70ZFP
29 parâmetros
DI (T=100°C)
4.3A
DI (T=25°C)
6.8A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
0.9 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
700V
C (pol.)
2350pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
180pF
Diodo Trr (mín.)
680 ns
Função
Zener-Protected
IDss (min)
1uA
Id(im)
27A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
Td(ligado)
30 ns
Tecnologia
PowerMESH™III MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics