Transistor de canal N STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V

Transistor de canal N STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.61€
5-9
4.27€
10-24
3.99€
25-49
3.72€
50+
3.32€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 66

Transistor de canal N STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. DI (T=100°C): 68A. DI (T=25°C): 98A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0098 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 68V. C (pol.): 2550pF. Custo): 550pF. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 392A. Marcação na caixa: 80NF70. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

STP80NF70
31 parâmetros
DI (T=100°C)
68A
DI (T=25°C)
98A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.0098 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
68V
C (pol.)
2550pF
Custo)
550pF
Diodo Trr (mín.)
70 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
1uA
Id(im)
392A
Marcação na caixa
80NF70
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
190W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
90 ns
Td(ligado)
17 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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