Transistor de canal N STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 120V. C (pol.): 4300pF. Custo): 600pF. Diodo Trr (mín.): 155 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 320A. Marcação na caixa: P80NF12. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58