Transistor de canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Transistor de canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V

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Transistor de canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1138pF. Corrente máxima de drenagem: 5.2A. Custo): 122pF. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Função: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA. IDss (min): 1uA. Id(im): 20.8A. Marcação na caixa: P7NK80ZFP. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3.75V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

Documentação técnica (PDF)
STP7NK80ZFP
33 parâmetros
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
800V
On-resistência Rds On
1.5 Ohms
DI (T=100°C)
3.3A
DI (T=25°C)
5.2A
Idss
1uA
Idss (máx.)
50uA
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
1138pF
Corrente máxima de drenagem
5.2A
Custo)
122pF
Diodo Trr (mín.)
530 ns
Função
Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA
IDss (min)
1uA
Id(im)
20.8A
Marcação na caixa
P7NK80ZFP
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
30W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
Td(desligado)
45 ns
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
SuperMESH
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3.75V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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