Transistor de canal N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Transistor de canal N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.24€
5-24
1.91€
25-49
1.68€
50-99
1.51€
100+
1.28€
Produto obsoleto, será em breve removido do catálogo. Últimos artigos disponíveis
Quantidade em estoque: 69

Transistor de canal N STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1138pF. Custo): 122pF. Diodo Trr (mín.): 530 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 20.8A. Marcação na caixa: P7NK80Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Zener-Protected. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

Documentação técnica (PDF)
STP7NK80Z
28 parâmetros
DI (T=100°C)
3.3A
DI (T=25°C)
5.2A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
1.5 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
1138pF
Custo)
122pF
Diodo Trr (mín.)
530 ns
IDss (min)
1uA
Id(im)
20.8A
Marcação na caixa
P7NK80Z
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Spec info
Zener-Protected
Td(desligado)
45 ns
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
SuperMESH™ Power MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics