Transistor de canal N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V

Transistor de canal N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V

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1-4
1.82€
5-24
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25-49
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Transistor de canal N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0095 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 3700pF. Corrente de drenagem: 70A. Custo): 730pF. Diodo Trr (mín.): 132 ns. Embalagem: tubus. Função: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. IDss (min): 1uA. Id(im): 320A. Marcação na caixa: P75NF75. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Polaridade: unipolar. Potência: 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Td(desligado): 66 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 75V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

Documentação técnica (PDF)
STP75NF75
38 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=100°C)
70A
DI (T=25°C)
80A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.0095 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
75V
C (pol.)
3700pF
Corrente de drenagem
70A
Custo)
730pF
Diodo Trr (mín.)
132 ns
Embalagem
tubus
Função
DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters
IDss (min)
1uA
Id(im)
320A
Marcação na caixa
P75NF75
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
300W
Polaridade
unipolar
Potência
300W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Drain Current (pulsed) IDM--320Ap
Td(desligado)
66 ns
Td(ligado)
25 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
75V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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