Transistor de canal N STP6NK60Z, 600V, 3.8A, 6A, TO-220, 50uA, 1 Ohm, TO-220, 600V. Vdss (dreno para tensão da fonte): 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Carcaça: TO-220. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 905pF. Características: -. Custo): 115pF. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. IDss (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 4A. Informação: -. MSL: -. Marcação na caixa: P6NK60Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. Polaridade: MOSFET N. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Rds em (max) @ id, vgs: 2 Ohms / 2.8A / 10V. RoHS: sim. Série: SuperMESH. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de condução: 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58