Transistor de canal N STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (máx.): 62A. On-resistência Rds On: 12.5m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 33V. C (pol.): 1330pF. Custo): 420pF. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: totalmente protegido. Id(im): 248A. Marcação na caixa: P62NS04Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 01/01/2026, 12:24