Transistor de canal N STP60NF06L, TO-220, 60V, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 55 ns. C (pol.): 2000pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Custo): 360pF. Diodo Trr (mín.): 110us. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: carga de porta baixa, VGS(th) 1...2,5V. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 60A. IDss (min): 1uA. Id(im): 240A. Marcação do fabricante: P60NF06L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: carga de porta baixa, VGS(th) 1...2,5V. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura: +240°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 35 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24