Transistor de canal N STP5NK80Z, 800V, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 910pF. Corrente máxima de drenagem: 4.3A. Custo): 98pF. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. IDss (min): 1uA. Id(im): 17.2A. Marcação na caixa: P5NK80Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Potência: 110W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24